サムスン電子とＳＫハイニックスが早ければ今月からＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産量を段階的に減らすことを検討していることが分かった。
半導体の不況で在庫が急増する中、日本政府が核心素材の輸出を規制したことで、こうした「苦肉の策」を考慮している。

半導体業界によると、サムスン電子とＳＫハイニックスは今年下半期のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー大規模減産に関連して時期と規模を見計らっている。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーはＤＲＡＭとは違い、電源が切れてもデータを保存するメモリー半導体だ。

サムスン電子は半導体製造工程に幅広く使われるエッチングガス（高純度フッ化水素）供給が日本の輸出規制でふさがると、
営業赤字を出しているＮＡＮＤの生産から減らすという戦略を立てたという。

証券業界はサムスン電子が４－６月期、ＮＡＮＤ事業で３０００億ウォン（約２７７億円）ほど赤字を出したと推定した。
ＳＫハイニックスは今年１－３月期から数千億ウォン台の赤字を出している。

ある半導体協力会社の代表は「日本の輸出規制が長期化すれば、サムスン電子とＳＫハイニックスのＮＡＮＤ減産規模は急激に増えるだろう」と話した。

サムスン電子とＳＫハイニックスが「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー減産」を本格的に検討し始めたのは
「工場の稼働中断」という初めての事態をひとまず避けようという「苦肉の策」という分析が出ている。

収益性が落ちる生産ラインの稼働率から低め、日本の「経済報復」で触発した韓日緊張関係が政治・外交的に解決するまで時間をできる限り稼ごうという考えがある。

日本政府の輸出規制が長期化すれば、サムスン電子とＳＫハイニックスが世界市場の７０％以上を占めるＤＲＡＭの生産にも支障が生じるしかない。
ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの供給を受けるグローバル情報技術（ＩＴ）企業が今回の事態を注視している理由だ。
https://japanese.joins.com/article/376/255376.html?servcode=300&sectcode=320