記事入力 : 2021/06/08 11:29 朝鮮日報／朝鮮日報日本語版

　米メモリー半導体大手、マイクロンが世界初となる14ナノメートル製造プロセスによるDRAMの量産を開始したと発表した。サムスン電子が生産している15ナノメートルDRAMよりも進んだ製品だ。マイクロンは昨年11月には世界初の「176段NAND型フラッシュメモリー」の量産を発表し、半導体業界を驚かせた。サムスン電子がメモリー半導体の二大分野であるDRAMとNAND型フラッシュメモリーの最先端競争でいずれも遅れ始めた。韓国が20年近く守ってきたメモリー最強国の地位が半導体宗主国である米国によって脅かされている。

　1994年にサムスン電子が世界初の256メガビットDRAMを開発して以降、韓国はメモリー半導体に関する限り、世界初、最高の集積度の開発で先頭に君臨してきた。96年に1ギガビットDRAM、1ギガビットフラッシュメモリー、07年に64ギガビットDRAM、19年に128段NAND型フラッシュメモリーを開発するなど、メモリーの容量が毎年2倍ずつ増えるという「ファンの法則」を具現してきた。その結果、DRAMで70％、NAND型フラッシュメモリーで45％の世界シェアを誇る圧倒的首位の座に就いた。オーダーメードの半導体を受託生産するファウンドリー分野の台湾積体電路製造（TSMC）と共に半導体サプライチェーンの二強体制を構築した。

　ところが、人工知能（AI）、自動運転、5Gなど第4次産業革命の到来と米国の「半導体同盟」戦略が半導体産業の地形を根底から揺るがし始めた。今後は汎用半導体よりもオーダーメードの半導体需要が伸びると判断し、2年前にサムスン電子もシステム半導体、ファウンドリー分野の育成に向け、133兆ウォン（約13兆1000億円）を投資する10カ年計画を発表したが、これといった成果を上げられずにいる。一方、TSMCの支配力はさらに強まっている。昨年25％も成長した世界のファウンドリー市場で、TSMCのシェアは54％に高まり、過去最高を塗り替えたのに対し、サムスン電子は17％で足踏みしたため、両社の差はさらに拡大した。